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Biba, Josef - Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren
De vraag gaat over de volgende titel:
| Schrijver: | Biba, Josef |
|---|---|
| Titel: | Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren |
| ISBN: | 9783954043514 |
| Uitgever: | Jentzsch-Cuvillier, Annette |
| Bijzonderheid: | 2013 216pp Paperback / softback |
| Prijs: |
€ 43,40
Gratis
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| Meer info | Flaptekst Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen. |
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